amsung's newest DRAM will optimize next-generation computing, including artificial intelligence applications, with greater power efficiency and productivitySamsung Electronics, a world leader in ad...

Samsung’s latest 32Gbps GDDR7 to further expand capabilities in applications for AI, HPC and automotive vehiclesEnhancements in GDDR7 include 1.4 times boost in performance and 20% improvement in p...

New UFS 3.1 is optimized for IVI systems and consumes 33% less energy, providing added benefits to future automotive applicationsSamsung to build out full UFS 3.1 lineup to meet various customer ne...

Provides double the capacity of 16Gb modules within the same package size, enabling 128GB DRAM module production without the TSV process and decreasing power consumption by 10%The new product also ...

LPDDR-based LPCAMM will lead next-gen module market for PCs and laptops, possibly extending to data centersImprovements in performance by 50%, power efficiency by 70% and mounting area by 60% compa...

Delivers up to 3.8 times the transfer speeds of external HDD, and protects data from drops of up to two metersSamsung Electronics, a world leader in advanced semiconductor technology, today unveile...

▲ Juho Lee, a fellow at Samsung Research, won the Excellence in Supporting Standardization for Communications Award from IEEE ComSoc at the GLOBECOM 2023 conference on December 5. Juho Lee, a fello...

Samsung Electronics will hold a press conference on January 8, a day before exhibitions open for the 2024 Consumer Electronics Show (CES) in Las Vegas, NV. The event is scheduled to begin at 2:00 p...

New technologies and products include HBM3E Shinebolt, LPDDR5X CAMM2 and Detachable AutoSSD to accelerate innovation for future computing requirements Samsung Electronics, a world leader in advance...

据韩媒报道，Kiwoom证券8日表示，由于第四代高带宽存储器HBM3的全面供应以及存储器价格的上涨，三星电子今年第四季度业绩将超出市场预期。预计三星电子HBM3将于今年年底明年初正式开始向包括NVIDIA在内的主要客户供货，第五代（HBM3E）量产将取得有意义的成果。报道称，三星电子第四季度营业利润将环比增长76%，达到4.3万亿韩元（约合32.8亿美元），大幅超出市场共识（3.5万亿韩元）...

国际电子商情1日讯 三星电子预计，随着人工智能(AI)应用的发展，对存储芯片的总体需求将会上升，市场可望在2024年复苏。10月31日，三星电子公布了截至2023年9月30日的第三季度财务业绩。报告期内，三星电子实现合并总营收67.4万亿韩元，环比增长12%，负责半导体的设备解决方案部门亏损收窄。三星电子指出，尽管宏观经济的不确定性可能延续，传统服务器需求不振，但AIGC催生下高端服务器需求...

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目前有数家芯片制造商，正致力于开发名为STT-MRAM的新一代存储器技术，然而这项技术仍存在其制造和测试等面向存在着诸多挑战。STT-MRAM（又称自旋转移转矩MRAM技术）具有在单一元件中，结合数种常规存储器的特性而获得市场重视。在多年来的发展中发现，STT-MRAM具备了SRAM的速度与快闪存储器的稳定性与耐久性。STT-MRAM是透过电子自旋的磁性特性，在芯片中提供非挥发性储存的功能。...

存储器是现代信息系统的关键组件之一，已经形成了一个主要由DRAM与NAND Flash组成的超过1600亿美元的市场。同时，新型存储开始逐步迈向产业化，将有可能重塑未来存储市场格局。我国正在大力发展存储产业，提前布局新型存储将是建立未来存储产业生态的重要部分。新型存储主要指相变、磁变、阻变存储目前，受到广泛关注的新型存储器主要有3种：相变存储器(PCM)，以英特尔与美光联合研发的3D Xpo...

MRAM是磁阻式随机存取存储器(Magneto-resistiveRandom Access Memory )的缩写。MRAM是一种非挥发性电脑存储器( NVRAM )技术，从20世纪90年代以来开始开发就已经取得惊人的进展。MRAM存储器最终将成为占主导地位的并取代其它所有类型的存储器，并成为一个真正的“通用存储器”。实用型MRAM芯片主要利用隧道磁阻（TMR)效应，之前的巨磁阻( GMR...

应用前景存储芯片的新高地边缘计算中的应用非易失MRAM在SCM中的应用价值--华为加快布局闪存存储的步伐MRAM的明显优势技术发展前景分析原理介绍工作原理分析新一代存储器技术发展提高写入速度的新方法--IMEC高性能嵌入式MRAM晶圆级亚百纳米STT-MRAM器件内存升级GF 12nm 工艺关键技术关键工艺步骤FinFET器件中的STT-MRAM存储单元制作发展方向新的单元结构--USMR(...

xSPI接口MRAM是世界上性能最高的持久性存储器，基于新的JEDEC扩展串行外设接口(xSPI)标准接口完成每秒400兆字节的全读写带宽。容量为8Mbit到64Mbit，主要用于工业物联网和嵌入式系统。xSPI接口MRAM提供了一个突破性的性能水平和使用的应用方法。这是基于广泛的SPI/QSPI/xSPI行业标准是通过带来极高的带宽、低延迟和非易失性写入能力来实现的。这些功能将增强和简化几...

SPI MRAM是理想的存储器解决方案，适用于必须使用少量引脚、低功耗和24引脚BGA或16引脚SOIC封装快速存储和检索数据和程序的应用。Quad SPI模式下的四个I/O允许非常快速的读取和写入，使其成为下一代RAID控制器、服务器系统日志、存储设备缓冲区以及嵌入式系统数据和程序存储器中传统并行数据总线接口的有吸引力的替代方案。使用netsol的专利STT-MRAM技术，读取和写入都可以...

近年来，半导体先进制程微缩趋势带动下，加上AI人工智能、5G与AIoT等科技加速推进，3C设备、智慧家电、智慧汽车、智能城市到国防航天等领域都可以应用大量芯片记录海量数据。内存是所有微控制器嵌入式系统的主要组件，闪存（Flash）储存技术早已成为工控设备的主流配备。近年来，半导体先进制程微缩趋势带动下，加上AI人工智能、5G与AIoT等科技加速推进，3C设备、智慧家电、智慧汽车、智能城市到国...

瑞萨电子公司今天宣布，它已开发出用于嵌入式自旋转移矩磁阻随机存取存储器 (STT-MRAM) 的电路技术，以下简称 MRAM）测试芯片。该芯片具有快速读写操作，采用 22 纳米工艺制造。测试芯片包括一个 32 兆位 (Mbit) 嵌入式 MRAM 存储单元阵列，可在 150°C 的最高结温下实现 5.9 纳秒 (ns) 的随机读取访问，以及 5.8 兆字节/秒的写入吞吐量（ MB/秒）。瑞萨...