今天小编给大家带来的是SWM341系列芯片在屏驱应用下对于素材预处理环节的详细介绍：其中图片与字体是依托 LVGL 生态构建，而音视频是与 SWM341 的外设密切相关。01图片预处理输出数据格式：Binary RGB565（Swap）or 888 / C Array由于在线工具受限于网络链接，故使用离线转换工具较为快捷便利，请读者自行斟酌。 LVGL官方图片在线转换工具：https://l...

1I2C 简介物理连接I2C总线由时钟线SCL、数据线SDA两根线构成，连接在其上的设备分为主机和从机两种，I2C上的通信全部由主机发起。I2C设备对总线的输出采用开漏输出结构，即它只有在总线和GND之间的NMOS管，没有总线和VDD之间的PMOS管。输出0时通过开启NMOS管将总线与GND短接；输出1时无法像推挽输出那样开启PMOS管将总线与VDD短接，而是只能通过关闭NMOS从而由外接的...

产品名称DRAM密度配置速度封装级别温度NT6AN256T32AV-J18Gbx324267Mbps200球BGA商业-30°C~105°CNT6AN256T32AV-J28Gbx323733Mbps200球BGA商业-30°C~105°CNT6AN256T32AV-J38Gbx323733Mbps200球BGA商业-30°C~105°CNT6AN512M32AV-J18Gbx644267Mbps

产品名称DRAM密度配置速度封装等级温度可用性NT6CL256M32AM-H18Gbx321866Mbps178球BGA商业级-30℃~105℃MPNT6CL256M32AM-H08Gbx322133Mbps178球BGA商业级-30℃~105℃MPN...

DRAM密度配置速度封装等级温度可用性NT6TL64T32BA-G0H2Gb×321066Mbps134球BGA汽车级-40℃~105℃MPNT6TL128T64BR-G0I8Gb×641066Mbps216球PoP工业级-40℃~85℃MPNT6TL256T32BQ...

产品名称DRAM密度配置电压频速封装等级温度可用性NT5AD512M16C4-HR8Gbx161.2V2666Mbps96球BGA商业0℃〜95℃MPNT5AD512M16C4-JR8Gbx161.2V3200Mbps96球BGA商业0℃...

DRAM 密度配置 电压 速度 封装 等级 温度 可用性 NT5TU128M8HE-BE 1Gb x8 1.8V 1066Mbps 60球 BGA 商业级 0C~95C MP NT5TU128M8HE-AC 1Gb x8 1.8V 800Mbps 60球 BGA 商业级 0C~95C MP NT5TU64M16H...

HBM 的优点主要包括：高带宽：能够提供非常高的数据传输速率，满足高性能计算需求。高密度：可以在较小的空间内实现较大的存储容量。其缺点主要有：成本较高：先进的技术和复杂的封装导致成本相对较高。技术难度大：对制造和封装工艺要求苛刻。与其他内存技术相比，比如与传统的 DDR 内存相比，HBM 在带宽方面有明显优势，但成本也更高；而与一些新兴的非易失性内存技术相比，HBM 在读写速度上有优势，但非...

HBM 产品的技术难点主要体现在封装工艺上，这当中，TSV（硅通孔）是实现容量和带宽扩展的核心，在 HBM 的 3D 封装成本中占比最高，接近30%，而 TSV 通常又会涉及到通孔蚀刻、填充、绝缘以及减薄等工艺流程，并且对电镀材料有较高要求。HBM 技术的发展趋势包括以下几个方面：更高的带宽和容量：随着人工智能、高性能计算等应用对内存带宽和容量的需求不断增加，HBM 技术将不断提高其带宽和容...

HBM 是一种高带宽存储器，通过将多个 DDR 芯片堆叠在一起，并与 GPU 封装在一起，实现了大容量、高位宽的 DDR 组合阵列。它具有高带宽、高速数据传输、大容量存储和优化系统性能等优势，在算力中扮演着重要的角色，为高性能计算和大数据处理等应用提供了强有力的支持。HBM 主要应用场景为 AI 服务器，其市场规模预计将在未来几年内继续保持强劲的增长势头。在 HBM 存储产业链中，涉及封装材...

据日经新闻网报道，近期晶圆代工厂商力积电（PSMC）传出将和日本新创企业合作，目标在2029年量产MRAM，将利用力积电计划在日本兴建的晶圆厂第2期工程产线进行量产。根据报道，东北大学长年来持续研究MRAM，而PowerSpin将提供MRAM IP给力积电，力积电在推动研究、试产后，目标在2029年开始进行量产，期待可应用于生成式AI数据中心。力积电携手日本网路金融厂商SBI Holding...

目前主流的新型存储器主要包括四种：阻变存储器（ReRAM/RRAM），相变存储器（PCRAM），铁电存储器（FeRAM/FRAM），磁性存储器（MRAM）。其中MRAM正在成为当下主流的新型存储技术，...存储技术发展更迭50年，逐渐形成了SRAM、DRAM及Flash这三大主要领域。但是随着半导体制造技术持续朝更小的技术节点迈进，传统的DRAM和NAND Flash开始面临越来越严峻的微缩...

我们为FPGA领域提供多重节点的领先技术 | CPLD不仅性能卓越而且功耗极低。无论您是否正在设计最先进的高性能网络应用程序...

Micron Technology, Inc., announced two new Crucial Pro Series products with the addition of overclocking-capable memory and the world's fastest Gen 5 SSD. The Crucial DDR5 Pro Memory: Overclocking ...

Micron Technology, Inc. announced it is appointing Michael Ray as the company’s senior vice president, chief legal officer and corporate secretary effective immediately.In this role, Ray will repor...

Samsung Electronics announced that it has developed HBM3E 12H, the industry’s first 12-stack HBM3E DRAM and the highest-capacity HBM product to date.Samsung’s HBM3E 12H provides an all-time high ba...