AI服务器浪潮席卷全球，带动AI加速芯片需求。DRAM关键性产品HBM异军突起，成为了半导体下行周期中逆势增长的风景线。业界认为，HBM是加速未来AI技术发展的关键科技之一。近期，HBM市场动静不断。先是SK海力士、美光科技存储两大厂释出2024年HBM产能售罄。与此同时，HBM技术再突破、大客户发生变动、被划进国家战略技术之一...一时间全球目光再度聚焦于HBM。1HBM：三分天下HBM（...

韩国媒体 TheElec报道，三星正在考虑在其下一代 DRAM 中应用模压填充（MUF）技术。三星最近测试了一种用于 3D 堆栈 (3DS) 存储器的MUF 技术，与 TC NCF 相较其传输量有所提升。据悉，MUF 是一种在半导体上打上数千个微小的孔，然后将上下层半导体连接的硅穿孔 (TSV) 技术后，注入到半导体之间的材料，它的作用是将垂直堆栈的多个半导体牢固地固定并连接起来。而经过测试...

近期，存储厂商南亚科总经理李培瑛对外表示，HBM目前产品溢价较高，确实会对存储器厂商营收有所贡献，但其占全球DRAM位元数仅约2%。因此，以当前南亚科在DRAM市场的市占率而言，现阶段不适合公司投入大量资源争夺HBM市场。存储市场正掀起AI狂欢热潮，HBM技术也从幕后走向台前，并成为推动存储器产业发展的强劲动能。不过，HBM技术含量高、在DRAM占比小，因此决定了该技术是属于三星、SK海力士...

我们先从一片完整的晶圆（Wafer）说起：一块完整的wafer名词解释：wafer 即为图片所示的晶圆，由纯硅（Si）构成。一般分为6英寸、8英寸、12英寸规格不等，晶片就是基于这个wafer上生产出来的。Wafer上的一个小块，就是一个晶片晶圆体，学名die，封装后就成为一个颗粒。一片载有Nand Flash晶圆的wafer，wafer首先经过切割，然后测试，将完好的、稳定的、足容量的di...

定义：中文名为绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,结合了MOSFET的高电流单栅控制特性和BJT的低饱和电压能力。IGBT按封装划分可以分为单管分立器件、IGBT模块和IPM。通常市场上讲的IGBT指的是IGBT模块。特点：IGBT是能源转换与传输的核心器件，是电力电子装置的“CPU”，具有高压、大电流、高速三大...

日常选机大家往往关注64GB、128GB等存储空间，却很少像选笔记本关注SSD一样关注手机闪存规格。首先手机储存容量、固态硬盘（SSD）、U盘和SD卡等使用的都是一种叫做NAND的储存介质，NAND闪存是一种非易失性存储技术，即断电后仍能保存数据。它的发展目标就是降低每比特存储成本、提高存储容量。　　无论是eMMC还是UFS都是在NAND存储芯片的基础上，再加上了控制芯片，接入标准接口，进行...

一、NAND FlashNAND Flash全名为Flash Memory，属于非易失性存储设备(Non-volatile Memory Device)，基于浮栅(Floating Gate)晶体管设计，通过浮栅来锁存电荷，由于浮栅是电隔离的，所以即使在去除电压之后，到达栅极的电子也会被捕获。这就是闪存非易失性的原理所在。数据存储在这类设备中，即使断电也不会丢失。根据不同的纳米技术，NAND...

LPDDR5BIWIN LPDDR5LPDDR5支持多Bank Group模式，传输速率从4266Mbps提升至6400Mbps，多组电压动态调节，功耗降低30%；高性能、低功耗、更安全可靠和多容量选择，佰维LPDDR5内存方案将有效满足中高端智能手机、平板电脑、汽车等各种智能终端对内存芯片的需求。产品规格InterfaceLPDDR5Dimension12.4×15.0mmFrequenc...

BIWIN LPDDR4LPDDR4LPDDR全称是Low Power Double Data Rate SDRAM，是DDR的一种，主要以低功耗为特点。BIWIN Low Power DDR提供包括从高性能到高性价比的RAM解决方案。最新一代的LPDDR4具有比LPDDR3高50%的性能提升；同时，更低的功耗和更高的频率，让设备运行更加顺畅。产品规格InterfaceLPDDR 4 / L...

eMCP随着手机所用操作系统的程序代码容量变大，特别是随着Android操作系统的广泛流行，智能型手机对存储容量的更高要求，BIWIN eMCP是基于MCP(Multi-Chip Packaging；多芯片封装技术)的产品，采用eMMC芯片加一颗低功耗的DRAM方案，有效简化了客户产品的制造过程和开发成本，缩短终端产品的研发时间，加快终端产品上市。产品规格接口eMMC+LPDDR4X尺寸11...

BIWIN eMMCBIWIN eMMC凭借简练和先进的设计在短时间内进入市场，采用高性能主控芯片和稳定的NAND Flash，可在提高数据传输效率的同时，更稳定地实现更多、更快的多任务处理，可保证网页浏览、下载应用程序、高清视频回放、运行大型游戏时的流畅性。eMMC的一个明显优势是在封装中集成了一个控制器，它提供标准接口并管理闪存，使得设备厂商能专注于产品开发的其它部分，并缩短向市场推出产...

最近有很多客户在使用 SD NAND的时候都会问SD NAND与SPI NAND有什么区别，下面我们来一起了解下内部材质：主流SD NAND与SPI NAND基本上都是使用SLC NAND FLASH晶圆，擦写寿命可达5万-10万次；接口以及驱动程序：SD NAND正常接CPU是用SDIO接口，SPI NAND是接SPI接口使用，很多主流的CPU都是自带SDIO的驱动，因此使用SD NAND...

MRAM是一种非易失性存储技术，通过磁致电阻的变化来表示二进制中的0和1，从而实现数据的存储。由于产品本身具备非易失性，让其在断电情况下依然可以保留数据信息，并拥有不逊色于DRAM内存的容量密度和使用寿命，平均能耗也远低于DRAM。被大厂看好的未来之星，非它莫属。01 三星：新里程碑目前三星仍然是全球专利*，2002年三星宣布研发MRAM，2005年三星率先研究STT-MRAM，但是此后的十...

AI如何在数以百亿的小算力MCU嵌入式应用中落地？海思正在给出自己的答案。海思A²MCU聚焦行业专用（Application Specific）和嵌入式AI技术（Artificial Intelligence），将AI领域超轻量级的技术框架、极致性能的推理要求、方便快速的部署能力与MCU深度融合，为MCU行业客户探索智能化应用提供新的选择。在TCL小蓝翼P7新风空调发布会上，海思与TCL空调...

在12月16日举行的2023年openEuler峰会上，上海海思推出了支持openEuler系统的A²MCU解决方案。海思表示，A²针对家电、能源、工业、汽车等领域推出，不仅涵盖基于RISC-V的系列化MCU，还包含兼容ARM指令集的高性能MPU，以及与之紧密配合并优化的操作系统。可以说，该方案的推出对日益扩大的AIoT形成了更加完备的支持。人们大多知道，华为海思有“大海思”和“小海思”之分...

SD NANDSD NAND是储存卡的延伸，可直接贴片，又名贴片式TF卡、SD Flash 等，其内部集成高性能的闪存控制器，兼容 SD 协议，满足客户小型化、差异化、高可靠性的设计需求。SD NANDSD NAND是储存卡的延伸，可直接贴片，又名贴片式TF卡、SD Flash 等，其内部集成高性能的闪存控制器，兼容 SD 协议，满足客户小型化、差异化、高可靠性的设计需求。产品优势：小尺寸：...

HBM竞争格局与应用市场：三巨头垄断，受益于AI服务器市场增长。据TrendForce集邦咨询研究显示，2022年三大原厂HBM市占率分别为SK 海力士（SK hynix）50%、三星（Samsung）约40%、美光（Micron）约10%。新思界预测2025E中国HBM需求量将超过100万颗。JEDEC定义三类DRAM标准：HBM属于细分图形DDR下述三种 DRAM 类别使用相同的 DRA...

由于处理器与存储器的工艺、封装、需求的不同，从1980年开始至今二者之间的性能差距越来大。有数据显示，处理器和存储器的速度失配以每年50%的速率增加。存储器数据访问速度跟不上处理器的数据处理速度，数据传输就像处在一个巨大的漏斗之中，不管处理器灌进去多少，存储器都只能“细水长流”。两者之间数据交换通路窄以及由此引发的高能耗两大难题，在存储与运算之间筑起了一道“内存墙”。着数据的爆 炸势增长，内...

方正证券指出，HBM产业链中TSV为核心工艺，电镀、测试、键合需求也将提升。AI算力需求增长打开HBM市场空间，预计至2026年市场规模将达127.4亿美元，CAGR达37%。11月17日周五，HBM概念股持续活跃，华海诚科、中富电路20CM涨停，壹石通涨超16%，联瑞新材、赛腾股份等跟涨。消息面上，AI引爆HBM存储芯片需求，英伟达新一代AI芯片H200搭载HBM3e，存储三大巨头争相推进...

HBM4将是未来市场上最先进的存储器。HBM技术是一种基于3D堆叠工艺的高性能DRAM，它可以为高性能计算、人工智能、数据中心等领域提供高带宽、高容量、低延迟和低功耗的存储解决方案。本文将介绍HBM技术的原理、优势、应用和发展趋势。01. HBM技术原理： 3D堆叠实现高密度存储HBM技术是一种将多层DRAM芯片通过硅通孔（TSV）和微型凸点（uBump）连接在一起，形成一个存储堆栈（sta...