Netsol是一家位于韩国的无厂内存半导体设计公司,目前的产品有异步快速SRAM、低功耗SRAM、四重/DDR SRAM 和 SLC NAND Flash。主要客户群是工业、商业和通信,以高速、低延迟和低功耗内存设计技术而闻名。
netsol器件采用6-TR单元先进的CMOS工艺技术制造,专为低功率电路技术而设计,S6L4008W1M SRAM是一款容量为4Mb的高速SRAM,位宽8*512K。适用于低数据保持电流的电池备份应用。
S6L4008W1M快速访问时间为45、55、最大70ns,待机电流2A,最大10A。宽范围或单5.0V电源,具备完全静态操作和三态输出,无需时钟或刷新,可在商业和工业温度范围内工作。封装采用32SOP、32sTSOP1和32TSOP2。欢迎垂询代理RAMSUM.
low power sram低功耗SRAM存储器是作为静态随机访问存储器的一种类别,SRAM作为最重要的半导体存储器,广泛地嵌入于高性能微处理器。应用于内有电池供电对功耗非常敏感的产品。
netsol 4Mb
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4M bit | 256Kx16 | S6L4016W1M | 2.3~3.6v | 1C/S | 45/55/70ns | 44TSOP2 48 FBGA |
4M bit | 256Kx16 | S6L4016W2M | 2.3~3.6v | 2C/S | 45/55/70ns | 44TSOP2 48 FBGA |
4M bit | 256Kx16 | S6L4016C1M | 5V | 1C/S | 45/55/70ns | 44TSOP2 48 FBGA |
4M bit | 256Kx16 | S6L4016C2M | 5V | 2C/S | 45/55/70ns | 44TSOP2 48 FBGA |
4M bit | 512Kx8 | S6L4008W1M | 2.3~3.6v | 1C/S | 45/55/70ns | 32 sTSOP1 |
4M bit | 512Kx8 | S6L4008W2M | 2.3~3.6v | 2C/S | 45/55/70ns | 32 sTSOP1 |
4M bit | 512Kx8 | S6L4008C1M | 2.7~3.6V | 1C/S | 45/55/70ns | 32 sTSOP1 |
4M bit | 512Kx8 | S6L4008C2M | 5V | 1C/S | 45/55/70ns | 32 sTSOP1
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