新闻详情

sram和dram的区别和联系

新型存储之MRAM资讯

35
发表时间:2022-12-01 09:20作者:全球芯 | glochip.com来源:Netsol | MRAM | SRAM网址:http://glochip.com/news/
文章附图

静态随机存取存储器 (SRAM)数据存储在晶体管中,需要恒定的功率流。动态随机存取存储器 (DRAM): 数据存储在电容器中。它们都是集成电路RAM的模式,不过也有不同,例如 SRAM 比 DRAM 相对更快,因此 SRAM 用于高速缓存,而 DRAM 用于主存储器。SRAM的存储容量为1MB到16MB,而DRAM 的存储容量为 1 GB 至 16 GB。



RAM(Random Access Memory)是一种需要持续供电才能将数据保存在其中的存储器,一旦断电,数据就会丢失,因此被称为易失性存储器。在 RAM 中的读取和写入既简单又快速,并且通过电信号完成。



SRAM的定义



SRAM(静态随机存取存储器)由CMOS 技术组成,使用六个晶体管。它的结构由两个交叉耦合的反相器组成,用于存储数据(二进制),类似于触发器和额外的两个晶体管用于访问控制。它比 DRAM 等其他 RAM 类型相对更快。它消耗更少的电力。SRAM只要通电就可以保存数据。



DRAM的定义



DRAM(动态随机存取存储器)也是一种使用电容器和少量晶体管构成的 RAM。电容器用于存储数据,其中位值 1 表示电容器已充电,位值 0 表示电容器已放电。电容器容易放电,导致电荷泄漏。



动态项表示即使在持续供电的情况下,电荷也会不断泄漏,这就是它消耗更多电力的原因。要长时间保留数据,需要反复刷新,这需要额外的刷新电路。由于泄漏电荷,即使打开电源,DRAM 也会丢失数据。DRAM 具有更高的容量并且更便宜。对于单个内存块,它只需要一个晶体管。



SRAM 和 DRAM 之间的主要区别



  1. SRAM是访问时间短的片上存储器,DRAM是访问时间长的片外存储器。因此 SRAM 比 DRAM 快。

  2. DRAM 的存储容量更大,而 SRAM 的尺寸更小。

  3. SRAM很贵,而 DRAM 很便宜。

  4. 高速缓冲存储器是SRAM的一种应用。相反,DRAM用于主存储器。

  5. DRAM高度密集。相反,SRAM 比较少见。

  6. 由于使用了大量的晶体管,SRAM的结构很复杂。相反,DRAM易于设计和实现。



7.在 SRAM 中,单个内存块需要六个晶体管,而 DRAM 只需要一个晶体管用于单个内存块。



8.DRAM之所以被命名为动态的,是因为它使用的电容器会产生泄漏电流,因为电容器内部用于分隔导电板的电介质不是完美的绝缘体,因此需要电源刷新电路。另一方面,SRAM中不存在电荷泄漏的问题。



9.DRAM 的功耗比 SRAM 高。SRAM 的工作原理是改变通过开关的电流方向,而 DRAM 的工作原理是保持电荷。



结论



DRAM是SRAM的后代。DRAM 旨在克服 SRAM 的缺点;设计人员减少了一位内存中使用的内存元件,从而显着降低了 DRAM 成本并增加了存储面积。但是,DRAM 速度慢且比 SRAM 消耗更多功率,它需要在几毫秒内频繁刷新以保留电荷。


文章分类: SRAM
分享到:
Home                                    Product                                        News                                   About                                        Contact
Tel:0755-84866816  13924645577
Tel:  0755-84828852   13924649321
Web:  www.glochip.com
Mail:kevin@glochip.com
Add: 深圳市龙岗区大运软件小镇1栋401
Mobile: 13924645577    13924649321 
       微信咨询
加密芯片  华芯微特   艾迪科泰    博雅科技    补丁科技    晶存科技   华大电子   妙存科技   三星半导体   海力士  镁光科技     南亚科技  铠侠半导体  金士顿   Skyhigh  Netsol

SRAM MRAM SDRAM DDR1 DDR2 DDR3 DDR4 DDR5 LPDDR3 LPDDR4 LPDDR4X LPDDR5 LPDDR5X NAND FLASH  NOR FLASH eMMC UFS eMCP uMCP