HBM产业链10
发表时间:2024-01-05 16:12网址:http://glochip.com/news/ 方正证券指出,HBM产业链中TSV为核心工艺,电镀、测试、键合需求也将提升。AI算力需求增长打开HBM市场空间,预计至2026年市场规模将达127.4亿美元,CAGR达37%。 11月17日周五,HBM概念股持续活跃,华海诚科、中富电路20CM涨停,壹石通涨超16%,联瑞新材、赛腾股份等跟涨。 消息面上,AI引爆HBM存储芯片需求,英伟达新一代AI芯片H200搭载HBM3e,存储三大巨头争相推进HBM扩产,三星、SK海力士计划将HBM产量提高至2.5倍。 根据方正证券在最近的报告中的介绍,AI算力需求增长打开HBM市场空间,2022年全球HBM市场规模约为36.3亿美元,预计至2026年市场规模将达127.4亿美元,CAGR达37%。当前HBM市场三分天下,SK海力士技术领先,三星、美光正加速追赶。 其中,TSV为HBM核心工艺,电镀、测试、键合需求也将提升。到2026年,先进封装和高端互联应用中电镀材料市场规模预计超过12亿美元。同时HBM高带宽特征拉动键合需求,推动固晶步骤和固晶机单价提升。 算力带动HBM需求井喷技术迭代加速HBM具有高容量、高带宽、低延时与低功耗等优点,历经多次迭代后性能得到多维提升。 根据方正证券的介绍:
HBM的优点在于打破内存带宽及功耗瓶颈,方正证券指出:
方正证券指出:
HBM产品问世至今,HBM技术已经发展至第四代,第五代HBM3E已在路上。随着AMD、英伟达等推出的GPU竞相搭载HBM芯片,HBM正成为HPC军备竞赛的核心。 方正证券指出,CPU搭配HBM先河已开,配合DDR提供灵活计算方案。
TSV为核心工艺,电镀、测试、键合需求将提升展望未来,HBM市场规模高速增长,HBM3份额将持续大幅提升。方正证券预计:
具体来看,TSV为核心工艺,电镀、测试、键合需求将提升,相关电镀材料市场规模有望进一步增长,同时也将推高固晶步骤和固晶机单价。 1、TSV需求将增长带动电镀市场增长 TSV(Through-Silicon-Via,先进封装工艺中的重要一环)为HBM核心工艺,HBM需要通过TSV来进行垂直方向连接,该环节成本占比接近30%。 进一步来看,TSV通孔填充对性能至关重要,铜为主流填充材料。TSV加工流程包括孔成型、沉积绝缘层、减薄、电镀、CMP等。其中,铜凭借其超低电阻率和成本,被认为是最合适的填充材料。
目前,英伟达H100GPU订单已排至2024年,CoWos成HBM重要瓶颈。HBM的高焊盘数和短迹线长度需要2.5D先进封装技术,以实现密集的短连接。而全球先进的封装厂商虽可以提供类似于CoWos的解决方案,但硅中介层仍需外购,这也进一步加大了AI芯片厂商对台积电CoWos的需求。 2、带动测试、固晶设备需求增长 HBM需要进行KGSD(KnownGoodStackedDie)测试,拉动测试需求。传统的DRAM测试流程包括晶圆级和封装级测试,晶圆级测试由老化测试、冷/热测试和修复组成,而HBM需要进行额外的预键合测试,以检测电路中的缺陷。除此以外,针对HBM中的TSV、散热问题均需要进行额外的测试,而HBM底部的Basedie也需要进行逻辑芯片的测试,测试需求相较于传统DRAM大幅增加。且由于HBM的I/O密度远大于DRAM,测试方案也需要重新开发。 随着存储芯片的制造节点不断缩小,封装尺寸和凸点间距也需要相应缩小,TCB/混合键合技术正在得到越来越多的青睐。混合键合推动键合步骤和设备单价增加。 SK海力士技术领先,三星、美光加速追赶目前HBM市场格局三分天下,海力士领先。根据TrendForce,2022年全年SK海力士占据了HBM全球市场规模的50%。其次是三星,占40%,美光占10%。 TrendForce预测,今年海力士和三星的HBM份额占比约为46-49%,而美光的份额将下降至4%-6%,并在2024年进一步压缩至3%-5%。 SK海力士技术领先,核心在于MR-MUF技术。根据方正证券介绍:
方正证券预计,SK海力士将HBM4的生产目标定在了2026年:
三星则万亿韩元新建封装线,预计25年量产HBM4。方正证券指出:
方正证券认为,三星的优势在于作为存储厂商和晶圆代工厂,既提供了HBM方案也提供了多HBM封装方案,一站式的方案有助于收获更多订单。三星提供了2.5D和3D在内的丰富的先进封装交钥匙解决方案。 美光预计在24年量产HBM3E,供应英伟达下一代GPU,同时还有多代产品研发中。方正证券指出:
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